Была обнаружена статья об устройстве современных микропроцессоров. В ней, в частности, написано:
Здесь написано аналогично. А в книге Щуки - наоборот.
Вот другое описание.
Я полагаю, что в тексте статьи ошибка: n-MOS транзисторы изготавливают разрежением кремния на подложке SiGe (т.к. скорость движения электронов возрастает), а транзисторы p-MOS - сжатием кремния на Si3N4 (т.к. скорость движения дырок возрастает). Вопрос: правильно ли это, или что из этого правильно?
Раздел: Песочница или Вопрос-Ответ
Цитата
В первом (n-MOS) канал транзистора (n-канал) проводит ток при помощи электронов (отрицательно заряженных частиц), а во втором (p-MOS) - при помощи дырок (условно положительно заряженных частиц). Соответственно, и механизмы формирования напряженного кремния у этих двух случаев различны. Для n-MOS-транзистора используется внешнее покрытие слоем нитрида кремния (Si3N4), который за счет механических напряжений немного (на доли процента) растягивает (в направлении протекания тока) кристаллическую решетку кремния под затвором, в результате чего рабочий ток канала возрастает на 10% (условно говоря, электронам становится более просторно двигаться в направлении канала). В p-MOS-транзисторах все наоборот: в качестве материала подложки (точнее - только областей стока и истока) используется соединение кремния с германием (SiGe), что немного сжимает кристаллическую решетку кремния под затвором в направлении канала. Поэтому дыркам становится «легче» «передвигаться» сквозь акцепторные атомы примеси, и рабочий ток канала возрастает на 25%. Сочетание же обеих технологий дает 20-30-процентное усиление тока....
Здесь написано аналогично. А в книге Щуки - наоборот.
Вот другое описание.
Я полагаю, что в тексте статьи ошибка: n-MOS транзисторы изготавливают разрежением кремния на подложке SiGe (т.к. скорость движения электронов возрастает), а транзисторы p-MOS - сжатием кремния на Si3N4 (т.к. скорость движения дырок возрастает). Вопрос: правильно ли это, или что из этого правильно?
Раздел: Песочница или Вопрос-Ответ