Структура некоторых обычных кремниевых транзисторов способна выдержать нагрев
до температуры в 350 градусов по шкале Цельсия, при более высокой температуре
структура транзисторов уже претерпевает необратимые изменения. Поэтому для
работы в условиях высокой температуры используются транзисторы из других
полупроводниковых материалов, к примеру, карбида кремния, который выдерживает
нагрев до 550 градусов. Но существует еще один вид транзисторов — плазменные
транзисторы, которые были разработаны около пяти лет назад и которые работают
при температурах, сопоставимых с температурой в активной зоне ядерных реакторов,
при этом, на их работу практически не влияет радиоактивное ионизирующее
излучение. И недавно группа исследователей из университета Юты создала
миниатюрные плазменные транзисторы, размеры которых в 500 раз меньше чем размеры
подобных транзисторов, созданных в более ранний период.
«Логические схемы, созданные на базе плазменных транзисторов и способные
сохранять работоспособность при чрезвычайно высоких температурах, могут стать
основой электроники и компьютеров, которые будут управлять роботами,
выполняющими работу в непосредственной близи от активных зон ядерных реакторов»
— рассказывает Мэссуд Тэбиб-Азар (Massood Tabib-Azar), профессор электротехники
и информатики университета Юты, — «Кроме этого такая электроника будет сохранять
работоспособность в случае ядерных ударов и других чрезвычайных ситуаций,
пожаров и техногенных катастроф».