Обычные полупроводниковые технологии в ближайшее время подойдут к пределу, после которого дальнейшее уплотнение кристаллов NAND без внесения изменений в их компоновку станет невозможным. Поэтому производителям флеш-памяти, заинтересованным в наращивании ёмкости предлагаемых устройств, в ближайшее время придётся переориентироваться на выпуск чипов NAND с трёхмерной структурой, утверждается в аналитическом отчёте компании IHS. Как ожидается, уже к 2017 году около двух третей выпускаемых микросхем флеш-памяти – примерно 65,2 процента – будут обладать трёхмерной компоновкой. На данный же момент доля объёмных чипов NAND не превышает и одного процента. Согласно прогнозу, распространение новой технологии будет происходить достаточно быстрыми темпами. И если в 2014 году доля трёхмерной флеш-памяти составит 5,2 процента, то уже в 2015 она вырастет до 30,2 процентов. Переломным же станет 2016 год, когда усреднённая доля чипов с 3D-структурой в общем объёме выпускаемой NAND-памяти дойдёт до 49,8 процентов.