СХЕМА.RU - Радиолюбительский портал » Схемы » Измерения » Тестер полупроводниковых элементов

Тестер полупроводниковых элементов

27-04-2013, 17:01 От: admin Посмотрели: 3221
В этой статье представлено устройство – тестер полупроводниковых элементов.   Прототипом этого устройства послужила статья размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых элементов      (имя элемента – индикация на дисплее):
    – NPN транзисторы – на дисплее "NPN”
    – PNP транзисторы – на дисплее  "PNP”
    – N-канальные-обогащенные MOSFET – на дисплее "N-E-MOS”
    – P-канальные-обогащенные MOSFET – на дисплее "P-E-MOS”
    – N-канальные-обедненные MOSFET – на дисплее  "N-D-MOS”
    – P-канальные-обедненные MOSFET – на дисплее "P-D-MOS”
    – N-канальные JFET – на дисплее "N-JFET”
    – P-канальные JFET – на дисплее "P-JFET”
    – Тиристоры – на дисплее "Tyrystor”
    – Симисторы – на дисплее "Triak”
    – Диоды – на дисплее "Diode”
    – Двух катодные сборки диодов – на дисплее "Double diode CK”
    – Двух анодные сборки диодов – на дисплее "Double diode CA”
    – Два последовательно соединенных диода – на дисплее "2 diode series”
    – Диоды симметричные – на дисплее "Diode symmetric”
    – Резисторы – диапазон от 0,5 К до 500К [K]
    – Конденсаторы – диапазон от 0,2nF до 1000uF [nF, uF]
    – При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
    – Описание дополнительных параметров измерения:
    – H21e (коэффициент усиления по току) – диапазон до 10000
    – (1-2-3) – порядок подключенных выводов элемента
    – Наличие элементов защиты – диода – "Символ диода”
    – Прямое напряжение – Uf [mV]
    – Напряжение открытия  (для MOSFET) – Vt [mV]
    – Емкость затвора (для MOSFET) – C= [nF]

Тестер полупроводниковых элементов

Схема устройства
Программирование микроконтроллера    Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.
Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка
EEPROM, а также макет печатной платы.

 

Fuse-биты mega8

Процесс измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку "Тест”. Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа "Крона”.


 


 


 


 


 


 

Тестирование симистора


 


 


 


 


 


 

Тестирование диода


 


 


 


 


 


 

Тестирование светодиода


 


 


 

 

Тестирование сдвоенного диода


 


 


 


 


 


 

Тестирование MOSFET


 


 


 


 


 


 

Тестирование транзистора NPN


 


 


 



 

 

 

 

Тестирование транзистора PNP

Доп материалы, файлы к устройству (схеме):

Схема, прошивка, печатка


Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться, либо войти на сайт под своим именем.

Обсудить на форуме


На момент добавления Тестер полупроводниковых элементов все ссылки были рабочие.
Все публикации статей, книг и журналов, представлены на этом сайте, исключительно для ознакомления,
авторские права на эти публикации принадлежат авторам статей, книг и издательствам журналов!
Подробно тут | Жалоба

Добавление комментария

Ваше имя:*
E-Mail:*
Текст:
Вопрос:
Решите уравнения x+2x=789
Ответ:*
Введите два слова, показанных на изображении:



Опрос

Ваши предпочтения в TRX


Одинарное преобразование
Двойное преобразование
Прямое преобразование
SDR
Другое
Мне всё равно

Популярные новости
Календарь новостей
«    Декабрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031